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三星大幅削減3D NAND生產(chǎn)用光刻膠用量

2024-12-06 09:30 來(lái)源:中國(guó)電子報(bào)
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(責(zé)任編輯:殷俊紅)
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三星大幅削減3D NAND生產(chǎn)用光刻膠用量

2024年12月06日 09:30   來(lái)源:中國(guó)電子報(bào)   

  本報(bào)訊 近日,三星表示,已在其最新3D NAND的光刻工藝中減少了厚光刻膠(以下簡(jiǎn)稱“PR”)的使用量,從而大幅節(jié)省了成本。

  三星表示,為了提高NAND生產(chǎn)效率并降低成本,通過(guò)采用兩項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新技術(shù)減少了光刻膠的使用量。首先,三星優(yōu)化了生產(chǎn)過(guò)程中的每分鐘轉(zhuǎn)數(shù)和涂布機(jī)轉(zhuǎn)速,在保持最佳蝕刻條件的同時(shí),減少了PR的使用,在保持涂層質(zhì)量的同時(shí)大幅節(jié)省了成本。其次,PR應(yīng)用后的蝕刻工藝已經(jīng)得到改進(jìn),盡管材料使用量減少,但仍能獲得同等或更優(yōu)的結(jié)果。據(jù)了解,三星已將用于3D NAND生產(chǎn)的PR使用量減少了一半。

  但三星此舉也意味著東進(jìn)半導(dǎo)體將面臨訂單減少的問(wèn)題。據(jù)悉,東進(jìn)半導(dǎo)體光刻膠業(yè)務(wù)每年的營(yíng)收約為2500億韓元收入,其中60%來(lái)自于三星。

  光刻膠被譽(yù)為“微納世界的畫(huà)家”,在半導(dǎo)體制造中,光刻膠要先被涂覆在硅片或其他襯底上,然后通過(guò)光照和后續(xù)蝕刻等處理,實(shí)現(xiàn)微細(xì)圖案的制作。

  當(dāng)前,全球光刻膠市場(chǎng)幾乎被來(lái)自日本的JSR、東京應(yīng)化、信越化學(xué)、住友化學(xué)等企業(yè)所瓜分,也讓日本在全球半導(dǎo)體制造鏈中占據(jù)著舉足輕重的地位,這也讓日本獲得了主動(dòng)權(quán)。日本政府曾多次限制光刻膠等半導(dǎo)體材料的出口,其中,影響最深遠(yuǎn)的就是2019年7月,日本政府宣布對(duì)出口韓國(guó)的半導(dǎo)體工業(yè)材料加強(qiáng)審查和管控,并將韓國(guó)排除在貿(mào)易“白色清單”以外。在2019年,韓國(guó)光刻膠對(duì)日本的依賴度為80%。但韓國(guó)政府在被限制時(shí)并沒(méi)有坐以待斃,立刻牽頭一口氣投入了6萬(wàn)億韓元的預(yù)算,鼓勵(lì)韓國(guó)的材料企業(yè)加快研發(fā)進(jìn)度。2022年12月,這筆投入終于獲得了回報(bào),韓國(guó)三星電子公司宣布,將東進(jìn)半導(dǎo)體研發(fā)的EUV光刻膠成功應(yīng)用于其芯片工藝生產(chǎn)線。東進(jìn)半導(dǎo)體成為韓國(guó)第一家將EUV光刻膠本土化至量產(chǎn)水平的公司。(文 編)

(責(zé)任編輯:殷俊紅)

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